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參數(shù)資料
| 型號： | 1N5637 |
| 廠商： | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
| 元件分類： | TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制 |
| 英文描述： | TRANSIENT ABSORPTION ZENER |
| 中文描述： | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-202AA |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, METAL GLASS, DO-13, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 502K |
| 代理商： | 1N5637 |
1500 WATT UNIDIRECTIONAL
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
Microsemi
Scottsdale Division
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
Page 2
Copyright
2002
11-06-2003 REV A
W
.Mi
cr
os
em
i
.C
O
M
SCOTTSD A L E DIVISION
1N5629 thru 1N5665A
1N
56
29
th
ru
1N
56
65
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ TA = 25oC
Breakdown
Voltage
V(BR) @ I(BR)
Min.
Max.
Breakdown
Current
I(BR)
Rated
Standoff
Voltage
VWM
Maximum
Standby
Current
ID @ VWM
Maximum
Clamping
Voltage
VC @ IPP
Maximum
Peak
Pulse
Current
IPP
Maximum
Temperature
Coefficient of V(BR)
αV(BR)
JEDEC
Type
No.*
V
mA
V
A
V
A
%/
oC
1N5629
1N5629A
1N5630
1N5630A
6.12
6.45
6.75
7.13
7.48
7.14
8.25
7.88
10
5.50
5.80
6.05
6.40
1000
500
10.8
10.5
11.7
11.3
139
143
128
132
.057
.061
1N5631
1N5631A
1N5632
1N5632A
7.38
7.79
8.19
8.65
9.02
8.61
10.0
9.55
10
1
6.63
7.02
7.37
7.78
200
50
12.5
12.1
13.8
13.4
120
124
109
112
.065
.068
1N5633
1N5633A
1N5634
1N5634A
9.00
9.5
9.9
10.5
11.0
10.5
12.1
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1
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8.55
8.92
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10
5
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100
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96
.073
.075
1N5635
1N5635A
1N5636
1N5636A
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12.6
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1
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10.5
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5
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19.0
18.2
87
90
79
82
.078
.081
1N5637
1N5637A
1N5638
1N5638A
13.5
14.3
14.4
15.2
16.5
15.8
17.6
16.8
1
12.1
12.8
12.9
13.6
5
22.0
21.2
23.5
22.5
68
71
64
67
.084
.086
1N5639
1N5639A
1N5640
1N5640A
16.2
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19.0
19.8
18.9
22.0
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1
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16.2
17.1
5
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25.2
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59.5
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54
.088
.090
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1N5641A
1N5642
1N5642A
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20.9
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1
17.8
18.8
19.4
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5
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33.2
47
49
43
45
.092
.094
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1N5643A
1N5644
1N5644A
24.3
25.7
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28.4
33.0
31.5
1
21.8
23.1
24.3
25.6
5
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37.5
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38.5
40
34.5
36
.096
.097
1N5645
1N5645A
1N5646
1N5646A
29.7
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1
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5
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45.7
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49.9
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33
29
30
.098
.099
1N5647
1N5647A
1N5648
1N5648A
35.1
37.1
38.7
40.9
42.9
41.0
47.3
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1
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5
56.4
53.9
61.9
59.3
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28
24
25.3
.100
.101
1N5649
1N5649A
1N5650
1N5650A
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48.5
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1
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40.2
41.3
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5
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21.4
.101
.102
1N5651
1N5651A
1N5652
1N5652A
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53.2
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.103
.104
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1N5653A
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1N5654A
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1
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.104
.105
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1N5655A
1N5656
1N5656A
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77.9
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100.0
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1
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5
118
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131
125
12.7
13.3
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.105
.106
1N5657
1N5657A
1N5658
1N5658A
90
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.107
1N5659
1N5659A
1N5660
1N5660A
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114
117
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1
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165
187
179
8.7
9.1
8.0
8.4
.107
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5638 | IC Z8 MCU OTP 4K 28SOIC |
| 1N5639 | IC MICROCONTROLLER 2K 28-DIP |
| 1N5645 | TRANSIENT ABSORPTION ZENER |
| 1N5646 | TRANSIENT ABSORPTION ZENER |
| 1N5647 | TRANSIENT ABSORPTION ZENER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1N5637A | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DO-13 SD - Bulk 制造商:Microsemi 功能描述:Microsemi 1N5637A TVS |
| 1N5637A/TR | 功能描述:UNI-DIRECTIONAL TVS 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 類型:齊納 單向通道:1 電壓 - 反向關(guān)態(tài)（典型值）:12.8V 電壓 - 擊穿（最小值）:14.3V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:21.2V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:71A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW） 電源線路保護:無 應(yīng)用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TA） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-13 供應(yīng)商器件封裝:DO-13（DO-202AA） 標準包裝:100 |
| 1N5637AE3 | 功能描述:UNI-DIRECTIONAL TVS 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 類型:齊納 單向通道:1 電壓 - 反向關(guān)態(tài)（典型值）:12.8V 電壓 - 擊穿（最小值）:14.3V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:21.2V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:71A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW） 電源線路保護:無 應(yīng)用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TA） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-13 供應(yīng)商器件封裝:DO-13（DO-202AA） 標準包裝:100 |
| 1N5637AE3/TR | 功能描述:UNI-DIRECTIONAL TVS 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 類型:齊納 單向通道:1 電壓 - 反向關(guān)態(tài)（典型值）:12.8V 電壓 - 擊穿（最小值）:14.3V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:21.2V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:71A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW） 電源線路保護:無 應(yīng)用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TA） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-13 供應(yīng)商器件封裝:DO-13（DO-202AA） 標準包裝:100 |
| 1N5637AJANTXV | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: |
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