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參數資料
| 型號： | 1N5637 |
| 元件分類： | TVS二極管 - 瞬態電壓抑制 |
| 英文描述： | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-13 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 146K |
| 代理商： | 1N5637 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5659 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-13 |
| 1N5665A | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-13 |
| 1N6051A | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-13 |
| 1N4001AHD | 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N4001AT-93 | 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1N5637A | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DO-13 SD - Bulk 制造商:Microsemi 功能描述:Microsemi 1N5637A TVS |
| 1N5637A/TR | 功能描述:UNI-DIRECTIONAL TVS 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:在售 類型:齊納 單向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:12.8V 電壓 - 擊穿（最小值）:14.3V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:21.2V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:71A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW） 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TA） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-13 供應商器件封裝:DO-13（DO-202AA） 標準包裝:100 |
| 1N5637AE3 | 功能描述:UNI-DIRECTIONAL TVS 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 類型:齊納 單向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:12.8V 電壓 - 擊穿（最小值）:14.3V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:21.2V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:71A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW） 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TA） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-13 供應商器件封裝:DO-13（DO-202AA） 標準包裝:100 |
| 1N5637AE3/TR | 功能描述:UNI-DIRECTIONAL TVS 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:在售 類型:齊納 單向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:12.8V 電壓 - 擊穿（最小值）:14.3V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:21.2V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:71A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW） 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TA） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-13 供應商器件封裝:DO-13（DO-202AA） 標準包裝:100 |
| 1N5637AJANTXV | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: |
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