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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 1N5737BTR-RMCU |
| 廠商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 齊納二極管 |
| 英文描述： | 11 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/1頁(yè) |
| 文件大小： | 35K |
| 代理商： | 1N5737BTR-RMCU |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N6006BTR-RECU | 18 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N6008BTR-RECU | 22 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N756ATR-RMCU | 8.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N968BTR-RMCU | 20 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N5257BTR-RMCU | 33 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1N5737C | 功能描述:DIODE ZENER 11V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:11V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| 1N5737D | 功能描述:DIODE ZENER 11V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:11V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| 1N5738 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON 400MW ZENER DIODES |
| 1N5738A | 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:ELECTRICAL CHARACTERISTICS |
| 1N5738B | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 12V 5% 480MW 2PIN DO-35 - Bulk |
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