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參數資料
| 型號： | 1N5806 |
| 廠商： | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 2.5 AMPS FAST RECOVERY RECTIFIER CHIP 50 - 150 VOLTS |
| 中文描述： | 2.5 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, GLASS, A, 2 PIN |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 46K |
| 代理商： | 1N5806 |
MSC1344.PDF 02-23-99
1N5802
1N5804
1N5806
JANHCE and JANKCE
JANHCF and JANKCF
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
CHARACTERISTIC
Reverse Current
Rated V
R
, T
C
= 25
°
C
Reverse Current
Rated V
R
, T
C
= 100
°
C
Forward Voltage Drop I
F
=
1A, T
C
= 25
°
C
Junction Capacitance @ V
R
= 10V
SYMBOL
TYPICAL
MAX.
UNITS
I
R
.01
1
μ
A
I
R
V
F
Cj
1.0
.80
15
50
.875
25
μ
A
Volts
Pf
REVERSE RECOVERY CHARACTERISTICS:
CHARACTERISTIC
Reverse Recovery Time
I
F
= 0.5A, I
R
= 0.5A, I
RR
= 0.05A
SYMBOL
TYPICAL
MAX.
UNITS
Trr
20
25
ns
Forward Recovery Voltage @ 1A Trr = 8ns
Forward Recovery Time
I
FM
= 250 mA
Vrr
1.5
2.2
V
15
ns
2.5 AMPS
FAST RECOVERY
RECTIFIER CHIP
50 - 150 VOLTS
FEATURES:
Chip Outline Dimensions: 41 x 41 mils
Chip Thickness: 8 to 12 mils
Anode Metallization: Aluminum
Metallization Thickness: 50,000
Nominal
Bonding Area: 23 x 23 mils Min.
Back Metallization: Gold
Junction Passivated with Thermal Silicon Dioxide - Planar Design
Backside Available with Solderable Ag Backside as JANHCF or
JANKCF
TYPE
V
R
50V
100V
150V
50V
100V
150V
V
BR
60V
110V
160V
60V
110V
160V
I
O
Tj = 75
°
C
2.5A
2.5A
2.5A
2.5A
2.5A
2.5A
JANHCE1N5802
JANHCE1N5804
JANHCE1N5806
JANKCE1N5802
JANKCE1N5804
JANKCE1N5806
7516 Central Industrial Drive
Riviera Beach, Florida
33404
PHONE: (561) 842-0305
FAX: (561) 845-7813
Chip Type:
RH
A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5806US | RECTIFIERS HIGH EFFICIENCY, ESP, 2.5 AMP TO 20 AMP |
| 1N5804 | 2.5 AMPS FAST RECOVERY RECTIFIER CHIP 50 - 150 VOLTS |
| 1N5804US | MILITARY APPROVED HIGH EFFICIENCY 2.5 AMP AND 6.0 AMP |
| 1N5802 | 2.5 AMPS FAST RECOVERY RECTIFIER CHIP 50 - 150 VOLTS |
| 1N5802-1 | 2.5 AMPS FAST RECOVERY RECTIFIER CHIP 50 - 150 VOLTS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1N5806/TR | 功能描述:UFR,FRR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:2.5A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:975mV @ 2.5A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 150V 不同?Vr，F 時的電容:25pF @ 10V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:A，軸向 供應商器件封裝:A，軸向 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:100 |
| 1N5806C.TR | 功能描述:DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:2.5A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:875mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 150V 不同?Vr，F 時的電容:25pF @ 5V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:軸向 供應商器件封裝:軸向 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 |
| 1N5806CSM4 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:HIGH EFFICIENCY POWER RECTIFIER IN A CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE |
| 1N5806D2A | 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:DIODE HI-REL RECT 150V 1A DLCC2 |
| 1N5806D2B | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIER DIODE |
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