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參數資料
型號: 1N5806
廠商: SENSITRON SEMICONDUCTOR
元件分類: 整流器
英文描述: 2.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝: HERMETIC SEALED PACKAGE-2
文件頁數: 1/3頁
文件大小: 39K
代理商: 1N5806
221 West Industry Court Deer Park, NY 11729-4681 Phone (631) 586 7600 Fax (631) 242 9798
World Wide Web Site - http://www.sensitron.com E-Mail Address - sales@sensitron.com
SENSITRON
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
DATA SHEET 4970, REV. D
Ultrafast Recovery Rectifier
Hermetic, non-cavity glass package
Metallurgically bonded
Operating and Storage Temperature: -65oC to +175o
MAX. RATINGS / ELECTRICAL CHARACTERISTICS
All ratings are at TA = 25
oC unless otherwise specified.
SS5802,US thru SS5806,US
Rating
Symbol
Condition
Max
Units
WORKING PEAK REVERSE VOLTAGE
1N5802, US
1N5804, US
1N5806, US
VWM
50
100
150
Volts
AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT
Io
TL= 75
oC
2.5
Amps
PEAK FORWARD SURGE CURRENT
IFSM
Tp=8.3ms
35
A(pk)
MAXIMUM REVERSE CURRENT
IR @ VRWM
Tj = 25
oC
1.0
μAmps
MAXIMUM REVERSE CURRENT
IR @ VRWM
Tj = 150
oC
175
μAmps
MAX. PEAK FORWARD VOLTAGE (PULSED)
300
μsec pulse, duty cycle < 2%
VFM
IFM=1.0A
IFM=2.5A
0.875
0.975
Volts
MAXIMUM REVERSE RECOVERY TIME
Trr
IF=IRM=0.5A
IREC=0.05A
25
ns
FORWARD RECOVERY VOLTAGE
VFRM
IF=250mA
tr=12ns
2.2
Volts
THERMAL RESISTANCE (Axial)
1N5802 thru 1N5806
R
θ
JL
L=.375
36
oC/W
THERMAL RESISTANCE (MELF)
1N5802US thru 1N5806US
R
θ
JC
L=0
13
oC/W
相關PDF資料
PDF描述
1N6621S 2 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
1N6621V 2 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
1N6622US 1.2 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
1N6629U 2.8 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
100L100 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE
相關代理商/技術參數
參數描述
1N5806/TR 功能描述:UFR,FRR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):150V 電流 - 平均整流(Io):2.5A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:975mV @ 2.5A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 150V 不同?Vr,F 時的電容:25pF @ 10V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:A,軸向 供應商器件封裝:A,軸向 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:100
1N5806C.TR 功能描述:DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):150V 電流 - 平均整流(Io):2.5A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:875mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 150V 不同?Vr,F 時的電容:25pF @ 5V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:軸向 供應商器件封裝:軸向 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1
1N5806CSM4 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:HIGH EFFICIENCY POWER RECTIFIER IN A CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE
1N5806D2A 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:DIODE HI-REL RECT 150V 1A DLCC2
1N5806D2B 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIER DIODE
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