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參數(shù)資料
| 型號： | 1N5808US |
| 廠商： | MICROSEMI CORP |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 6 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | 1N5808US |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5811D3A.CVB | 3 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N5811D3A.GCDE | 3 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N5811D3A.GRPB | 3 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N5811D3A.RAD | 3 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N5811D3B.CVB | 3 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1N5809 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Switching 100V 6A 2-Pin Case E 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ULTRA FAST RECOVERY RECTFR 100V 6A 2PIN E - Bulk 制造商:Semtech Corporation 功能描述:Diode Switching 100V 6A 2-Pin Case G-112 |
| 1N5809/TR | 功能描述:UFR,FRR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:875mV @ 4A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 100V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:60pF @ 10V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:B，軸向 供應(yīng)商器件封裝:B，軸向 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 |
| 1N5809CB | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ULTRA FAST RECOVERY RECTFR 100V 6A - Bulk |
| 1N5809CBUS | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ULTRA FAST RECOVERY RECTFR 100V 6A 2PIN D-5B - Bulk |
| 1N5809D3A | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:ULTRA FAST RECOVERY POWER RECTIFIER |
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