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參數資料
| 型號： | 1N5810 |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 6 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 180K |
| 代理商： | 1N5810 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5815 | 20 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N6628USV | 2 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N5629 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-13 |
| 1N6280C | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1N6287 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1N5811 | 功能描述:DIODE 150V 6A 25NS AXIAL RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| 1N5811 (CAT3) | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:1N5811 |
| 1N5811 | 制造商:Solid State Devices Inc (SSDI) 功能描述:STANDARD DIODE 6A 150V G4 |
| 1N5811C.TR | 功能描述:DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:875mV @ 4A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 150V 不同?Vr，F 時的電容:60pF @ 5V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:軸向 供應商器件封裝:軸向 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 |
| 1N5811C3 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SURFACE MOUNT VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALED ULTRA FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS |
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