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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 1N5817 |
| 廠商： | Surge Components, Inc. |
| 英文描述： | MDSTBV 2,5/ 3-G-5,08 |
| 中文描述： | 1安培肖特基電壓- 20至40伏特，電流-一點(diǎn)〇安培 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/2頁(yè) |
| 文件大小： | 188K |
| 代理商： | 1N5817 |
Notes:
(1) Pulse test: 300uS pulse width, 1% duty cycle
(2) Thermal resistance from junction to lead, and/or to ambient P.C.B. mounted with 0.375 (9.5mm) lead length with 1.5X1.5 (38X38mm) copper pads
(3) Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts
Symbols
1N5817
1N5818
1N5819
Units
Maximum repetitive peak reverse voltage
V
RRM
20
30
40
Volts
Maximum RMS voltage
V
RMS
14
21
28
Volts
Maximum DC blocking voltage
V
DC
20
30
40
Volts
Maximum non-repetitive peak reverse voltage
V
RSM
24
36
48
Volts
Maximum average forward rectified current
0.375" (9.5mm) lead length at T
L=90
I
(AV)
1.0
Amp
Peak forward surge current,
8.3mS single half sine-wave superimposed
on rated load (MIL-STD-750D 4066 method) at T
L=70
I
FSM
25.0
Amps
Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A (Note 1)
Maximum instantaneous forward voltage at 3.1A (Note 1)
V
F
V
F
0.450
0.750
0.550
0.875
0.600
0.900
Volts
Maximum instantaneous reverse current T
A=25
(Note1)
at rated DC blocking voltage
T
A=100
I
R
1.0
10.0
mA
Typical junction capacitance (Note 3)
C
J
110.0
F
Typical thermal resistance (Note 2)
R
JA
R
JL
50.0
15.0
/W
Operating junction and storage temperature range
T
J, TSTG
-65 to +125
Features
Mechanical Data
1N5817 THRU 1N5819
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Reverse Voltage - 20 to 40 Volts
Forward Current - 1.0 Ampere
Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
Metal silicon junction, majority carrier conduction
Guardring for overvoltage protection
Low power loss, high efficiency
High current capability, low forward voltage drop
High surge capability
For use in low voltage, high frequency inverters,
free wheeling, and polarity protection applications
High temperature soldering guaranteed:
250 /10 seconds, 0.375 (9.5mm) lead length,
5 lbs. (2.3Kg) tension
Case: DO-41 molded plastic body
Terminals: Plated axial leads, solderable per
MIL-STD-750, method 2026
Polarity: Color band denotes cathode end
Mounting Position: Any
Weight: 0.012 ounce, 0.33 gram
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.
DIMENSIONS
DIM
inches
mm
Note
Min.
Max.
Min.
Max.
A
0.165
0.205
4.2
5.2
B
0.079
0.106
2.0
2.7
C
0.028
0.034
0.71
0.86
D
1.000
-
25.40
-
1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5820 | 3 AMPERE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS VOLTAGE - 20 to 40 Volts CURRENT - 3.0 Ampere |
| 1.5KE300 | GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR VOLTAGE-6.8 to 440 Volts |
| 1.5KE400 | GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR VOLTAGE-6.8 to 440 Volts |
| 1.5KE20 | GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR VOLTAGE-6.8 to 440 Volts |
| 1.5KE400A | GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR VOLTAGE-6.8 to 440 Volts |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1N5817 _AY _10001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| 1N5817 A0G | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:450mV @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1mA @ 20V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:55pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 125°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 |
| 1N5817 B0G | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:450mV @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1mA @ 20V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:55pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 125°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 |
| 1N5817 BK | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:450mV @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1mA @ 20V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 |
| 1N5817 R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Schottky 20V 1A 2-Pin DO-41 T/R 制造商:Taiwan Semiconductor 功能描述:Diode Schottky 20V 1A 2-Pin DO-41 T/R |
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