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參數資料
| 型號： | 1N5817 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Schottky Barrier Diodes |
| 中文描述： | 1 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | 1N5817 |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of April 1992
1996 May 03
DISCRETE SEMICONDUCTORS
1N5817; 1N5818; 1N5819
Schottky barrier diodes
fpage
M3D119
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5819 | Schottky Barrier Diodes |
| 1N5819-CA2-R | SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| 1N5819L-CA2-R | SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| 1N5819 | Schottky Barrier Rectifiers(肖特基勢壘整流二極管) |
| 1N5819-1 | Schottky Barrier Rectifiers(肖特基勢壘整流二極管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| 1N5817 B0G | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:450mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 20V 不同?Vr，F 時的電容:55pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 工作溫度 - 結:-55°C ~ 125°C 標準包裝:1,000 |
| 1N5817 BK | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:450mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 20V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:2,000 |
| 1N5817 R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Schottky 20V 1A 2-Pin DO-41 T/R 制造商:Taiwan Semiconductor 功能描述:Diode Schottky 20V 1A 2-Pin DO-41 T/R |
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