型號: | 1N5817TR |
廠商: | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | 二極管(射頻、小信號、開關、功率) |
英文描述: | 1 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
文件頁數: | 1/1頁 |
文件大小: | 25K |
代理商: | 1N5817TR |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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1N5817 | 1 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
1N5817 | 1 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
1N5818 | 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
1N5818-13 | 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
1N5818RL | 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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1N5817-TR | 制造商:Taitron Components Inc 功能描述: |
1N5817W | 制造商:SEMTECH_ELEC 制造商全稱:SEMTECH ELECTRONICS LTD. 功能描述:1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE |
1N5817WB | 制造商:EIC 制造商全稱:EIC discrete Semiconductors 功能描述:SCHOTTKY BARRIER DIODES |
1N5817WS | 制造商:KEXIN 制造商全稱:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:Schottky Barrier Diodes |
1N5818 | 功能描述:肖特基二極管與整流器 Vr/30V Io/1A BULK RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |