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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 1N5818 |
| 元件分類： | 二極管(射頻、小信號(hào)、開關(guān)、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 57K |
| 代理商： | 1N5818 |
MAXIMUM RATINGS& ELECTRICAL CHARACTERISTICS
FEATURES
Data Sheet No. SBDA-101-1B
MECHANICAL SPECIFICATION
Ratings at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive loads, derate current by 20%.
Tel.: (310) 767-1052
Fax: (310) 767-7958
DIOTEC ELECTRONICS CORP.
Gardena, CA 90248
U.S.A
18020 Hobart Blvd., Unit B
Metal semiconductor junction with guard ring
Epitaxial Construction
Low forward voltage drop
High current capacity
For use in low voltage, high frequency inverters, free wheeling,
and polarity protection applications
Case: JEDEC DO-41, molded plastic (U/L Flammability Rating 94V-0)
Terminals: Plated axial leads
Soldering: Per MIL-STD 202 Method 208 guaranteed
Polarity: Color band denotes cathode
Mounting Position: Any
Weight: 0.012 Ounces (0.34 Grams)
MECHANICAL DATA
ACTUAL SIZE OF
DO-41 PACKAGE
Sym
In
mm
Minimum
Maximum
BL
BD
LL
LD
1.00
0.028
In
mm
0.107
0.205
0.034
5.2
2.7
0.86
0.160
0.103
25.4
0.71
4.1
2.6
Color Band
Denotes
Cathode
LD (Dia)
BD (Dia)
LL
BL
LL
DO- 41
SERIES 1N5817- 1N5819
Average Forward Rectified Current@ T = 90 C (T measured on
cathode lead, 1/32 in. from case)
L
o
PARAMETER (TEST CONDITIONS)
Maximum DC Blocking Voltage
Peak Forward Surge Current( 8.3 mSec single half sine wave
superimposed on rated load)
Maximum Forward Voltage at1 Amp DC
Typical Thermal Resistance, Junction to Ambient
Junction Operating Temperature Range
Maximum Average DC Reverse Current
At Rated DC Blocking Voltage (Note 1)
Maximum Forward Voltage at3 Amps DC
Maximum Peak Recurrent Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Series Number
IRM
R
θJA
TJ
TSTG
IO
VRMS
VRRM
VRM
SYMBOL
1N5817
1N5818
RATINGS
VOLTS
°C/W
°C
AMPS
UNITS
VOLTS
mA
VFM
IFSM
Typical Junction Capacitance (Note 2)
CJ
Storage Temperature Range
pF
1N5819
20
30
40
14
21
28
20
30
40
1
25
0.45
0.55
0.6
0.75
0.875
0.9
1
10
80
110
-65 to +125
-65 to +150
4.97fsbda101
(1) Lead temperature reference is cathode lead 1/32 in from case.
(2) Measured at 1MHz& applied reverse voltage of4 volts
NOTES:
@ T= 25 C
L
o
@ T = 100 C
L
o
A1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5818 | 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N5819-1S | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N5819-1V | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N6650-1V | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N5819UR-1S | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 1N5818 _AY _10001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| 1N5818 A0G | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:550mV @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1mA @ 30V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:55pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 125°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 |
| 1N5818 B0G | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:550mV @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1mA @ 30V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:55pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 125°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 |
| 1N5818 BK | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:550mV @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1mA @ 30V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 |
| 1N5818 R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Schottky 30V 1A 2-Pin DO-41 T/R 制造商:Taiwan Semiconductor 功能描述:Diode Schottky 30V 1A 2-Pin DO-41 T/R |
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