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參數資料
| 型號： | 1N5818M |
| 廠商： | DIODES INC |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
| 中文描述： | 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封裝： | GLASS, MELF-2 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 59K |
| 代理商： | 1N5818M |
D
S
13001 Rev. D-2
1 of 2
1N5817M/1N5818M/1N5819M
High Current Capability
Low Forward Voltage Drop
Guard Ring for Transient Protection
Glass Package for High Reliability
Packaged for Surface Mount Applications
Mechanical Data
Features
Case: MELF, Glass
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,
Method 208
Polarity: Cathode band
Approx Weight: 0.25 gram
Mounting Position: Any
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
@ T
A
= 25°C unless otherwise specified
1N5817M / 1N5818M / 1N5819M
1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY
BARRIER RECTIFIER
Notes:
1. Valid provided that terminals are kept at ambient temperature.
2. Measured at V
R
= 4.0V, f = 1.0MHz.
Characteristic
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
1N5817M
1N5818M
1N5819M
Units
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
20
30
40
V
RMS Reverse Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
14
21
28
V
@T
T
= 90°C (Note 1)
I
O
1.0
A
Maximum Forward Surge Current. Half Cycle @60Hz
Superimposed on rated load, JEDEC Method
Maximum Forward Voltage Drop
I
FSM
25
A
@ I
F
= 1.0A
@ I
F
= 3.0A
V
F
0.450
0.750
0.550
0.875
0.600
0.900
V
Maximum Reverse Leakage Current @ V
RRM
@ T
A
= 25°C
@ T
A
= 100°C
I
R
1.0
10
mA
Typical Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Storage and Operating Temperature Range
R
JA
C
j
T
j
, T
STG
130
110
K/W
pF
°C
-60 to +125
MELF
Min
Dim
A
B
C
All Dimensions in mm
Max
4.80
5.20
2.40
2.60
0.55 Nominal
C
A
B
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5819M | 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
| 1N5817 | Schottky Barrier Rectifier Diode(20V峰值反向電壓,1A,肖特基勢壘整流二極管) |
| 1N5818 | Schottky Barrier Rectifier Diode(30V峰值反向電壓,1A,肖特基勢壘整流二極管) |
| 1N5819 | Schottky Barrier Rectifier Diode(40V峰值反向電壓,1A,肖特基勢壘整流二極管) |
| 1N5819HW-7-F | 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1N5818M-13 | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 1A SMD MELF RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| 1N5818R0 | 制造商:Taiwan Semiconductor 功能描述:Rectifier diode, 1N5818 R0 |
| 1N5818RL | 功能描述:肖特基二極管與整流器 Vr/30V Io/1A T/R RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
| 1N5818RLG | 功能描述:肖特基二極管與整流器 1A 30V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
| 1N5818S | 制造商:SY 制造商全稱:SY 功能描述:SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
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