- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄364352 > 1N581X (意法半導(dǎo)體) LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 1N581X |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER |
| 中文描述： | 低壓差功率肖特基整流器 |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 56K |
| 代理商： | 1N581X |
1/5
1N581x
July 2003 - Ed: 4A
LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER
Axial Power Schottky rectifier suited for Switch
Mode Power Supplies and high frequency DC to
DC converters. Packaged in DO41 these devices
are intended for use in low voltage, high frequency
inverters, free wheeling, polarity protection and
small battery chargers.
DESCRIPTION
n
VERY SMALL CONDUCTION LOSSES
n
NEGLIGIBLE SWITCHING LOSSES
n
EXTREMELY FAST SWITCHING
n
LOW FORWARD VOLTAGE DROP
n
AVALANCHE CAPABILITY SPECIFIED
FEATURES AND BENEFITS
Symbol
Parameter
Value
Unit
1N5817 1N5818 1N5819
20
30
10
1
V
RRM
I
F(RMS)
I
F(AV)
Repetitive peak reverse voltage
RMS forward current
Average forward current
40
V
A
A
T
L
= 125°C
δ
= 0.5
tp = 10 ms
Sinusoidal
tp = 1μs
I
FSM
Surge non repetitive forward
current
Repetitive peak avalanche
power
Storage temperature range
Maximum operating junction temperature *
Critical rate of rise of reverse voltage
25
A
P
ARM
Tj = 25°C
1200
1200
900
W
T
stg
Tj
dV/dt
- 65 to + 150
150
10000
°C
°C
V/μs
ABSOLUTE RATINGS
(limiting values)
I
F(AV)
V
RRM
T
j
V
F
(max)
1 A
40 V
150°C
0.45 V
MAIN PRODUCTS CHARACTERISTICS
DO41
* :dPtot
dTj
Rth j
a
<
1
(
)
thermal runaway condition for a diode on its own heatsink
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N581x | Low Drop Power Schottky Rectifier(低壓差功率肖特基整流器) |
| 1N5822 | Schottky Barrier Rectifiers(肖特基勢壘整流二極管) |
| 1N5827 | SCHOTTKY DIODES STUD TYPE 15 A |
| 1N5828 | IC ENCORE XP MCU FLASH 8K 20SOIC |
| 1N582x | Low Drop Power Schottky Rectifier(低壓差功率肖特基整流器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1N581XLB | 制造商:CYSTEKEC 制造商全稱:Cystech Electonics Corp. 功能描述:1.0Amp Silicon Schottky Barrier Rectifiers |
| 1N5820 | 功能描述:肖特基二極管與整流器 Vr/20V Io/3A T/R RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
| 1N5820 _AY _10001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| 1N5820 A0G | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:475mV @ 3A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500μA @ 20V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:200pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 125°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 |
| 1N5820 B0G | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:475mV @ 3A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500μA @ 20V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:200pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 125°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。