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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 1N5820 |
| 廠商： | FUJI ELECTRIC HOLDINGS CO., LTD. |
| 英文描述： | 3 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
| 中文描述： | 3安培肖特基整流 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 183K |
| 代理商： | 1N5820 |
Notes:
(1) Pulse test: 300uS pulse width, 1% duty cycle
(2) Thermal resistance from junction to lead vertical P.C.B. mounted, 0.500 (12.7mm) lead length with 2.5X2.5 (63.5X63.5mm) copper pads
Symbols
1N5820
1N5821
1N5822
Units
Maximum repetitive peak reverse voltage
V
RRM
20
30
40
Volts
Maximum RMS voltage
V
RMS
14
21
28
Volts
Maximum DC blocking voltage
V
DC
20
30
40
Volts
Non-repetitive peak reverse voltage
V
RSM
24
36
48
Volts
Maximum average forward rectified current
0.375" (9.5mm) lead length at T
L=95
I
(AV)
3.0
Amps
Peak forward surge current,
8.3mS single half sine-wave superimposed
on rated load (MIL-STD-750D 4066 method) at T
L=75
I
FSM
80.0
Amps
Maximum instantaneous forward voltage at 3.0A (Note 1)
Maximum instantaneous forward voltage at 9.4A (Note 1)
V
F
V
F
0.475
0.850
0.500
0.900
0.525
0.950
Volts
Maximum instantaneous reverse current T
A=25
at rated DC blocking voltage (Note 1)
T
A=100
I
R
2.0
20.0
mA
Typical thermal resistance (Note 2)
R
JA
R
JL
40.0
10.0
/W
Operating junction and storage temperature range
T
J, TSTG
-65 to +125
Features
Mechanical Data
1N5820 THRU 1N5822
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Reverse Voltage - 20 to 40 Volts
Forward Current - 3.0 Amperes
Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
Metal silicon junction, majority carrier conduction
Low power loss, high efficiency
High current capability, low forward voltage drop
High surge capability
Guardring for overvoltage protection
For use in low voltage, high frequency inverters,
free wheeling, and polarity protection applications
High temperature soldering guaranteed:
250 /10 seconds, 0.375 (9.5mm) lead length,
5 lbs. (2.3Kg) tension
Case: DO-201AD molded plastic body
Terminals: Plated axial leads, solderable per
MIL-STD-750, method 2026
Polarity: Color band denotes cathode end
Mounting Position: Any
Weight: 0.041 ounce, 1.15 grams
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
1
Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.
DIMENSIONS
DIM
inches
mm
Note
Min.
Max.
Min.
Max.
A
0.283
0.374
7.20
9.50
B
0.189
0.208
4.80
5.30
C
0.048
0.051
1.20
1.30
D
1.000
-
25.40
-
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4003 | 1 AMP PLASTIC SILICON RECTIFIER |
| 1N4005 | 1 AMP PLASTIC SILICON RECTIFIER |
| 1N5817 | 1 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
| 1N5818 | 1 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
| 1N5821 | 3 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1N5820 _AY _10001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| 1N5820 A0G | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:475mV @ 3A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500μA @ 20V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:200pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 125°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 |
| 1N5820 B0G | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:475mV @ 3A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500μA @ 20V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:200pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 125°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 |
| 1N5820 R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Schottky 20V 3A 2-Pin DO-201AD T/R 制造商:Taiwan Semiconductor 功能描述:Diode Schottky 20V 3A 2-Pin DO-201AD T/R |
| 1N5820 R0G | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:475mV @ 3A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500μA @ 20V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:200pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 125°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,250 |
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