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參數資料
型號: 1N5821ID
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 整流器
英文描述: 3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
文件頁數: 1/10頁
文件大小: 206K
代理商: 1N5821ID
相關PDF資料
PDF描述
1N5821 3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
1N5821 3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
1N5822 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
1N5822 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
1N5823 15 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
相關代理商/技術參數
參數描述
1N5821-LFR 制造商:FRONTIER 制造商全稱:Frontier Electronics. 功能描述:3A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
1N5821R0 制造商:Taiwan Semiconductor 功能描述:Rectifier diode, 1N5821 R0
1N5821RL 功能描述:肖特基二極管與整流器 Vr/30V Io/3A T/R RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
1N5821RLG 功能描述:肖特基二極管與整流器 3A 30V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
1N5821S 制造商:EIC 制造商全稱:EIC discrete Semiconductors 功能描述:SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER DIODES
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