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參數資料
| 型號： | 1N5822 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | SCHOTTKY RECTIFIER |
| 中文描述： | 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 封裝： | P3, 2 PIN |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 43K |
| 代理商： | 1N5822 |
1
1N5820-1N5822, Rev.
C
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
1N5820 - 1N5822
Schottky Rectifiers
Absolute Maximum Ratings*
T
A
= 25°C unless otherwise noted
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
Electrical Characteristics
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Features
3.0 ampere operation at T
A
= 95°C
with no thermal runaway.
For use in low voltage, high
frequency inverters free
wheeling, and polarity
protection applications.
Symbol
Parameter
Device
Units
1N5820
475
850
1N5821
500
900
0.5
20
190
1N5822
525
950
V
F
Forward Voltage
Reverse Current @ rated V
R
T
A
= 25
°
C
@ 3.0 A
@ 9.4 A
mV
mV
mA
mA
pF
I
R
Total Capacitance
V
R
= 4.0 V, f = 1.0 MHz
T
A
= 100
°
C
C
T
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
Value
Units
1N5820
20
1N5821
30
1N5822
40
V
RRM
I
F(AV)
Maximum Repetitive Reverse Voltage
Average Rectified Forward Current
3/8 " lead length @ T
= 95
°
C
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
8.3 ms Single Half-Sine-Wave
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature
V
3.0
A
I
FSM
80
A
T
stg
T
J
-65 to +125
-65 to +125
°
C
°
C
DO-201AD
COLOR BAND DENOTES CATHODE
Symbol
Parameter
Value
Units
P
D
R
θ
JA
Power Dissipation
Thermal Resistance, Junction to Ambient
3.6
28
W
°
C/W
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5823 | 5 Amp Schottky Rectifier |
| 1N5824 | 5 Amp Schottky Rectifier |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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