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參數資料
| 型號： | 1N5969 |
| 元件分類： | 齊納二極管 |
| 英文描述： | surface mount silicon Zener diodes |
| 中文描述： | 表面貼裝硅穩壓二極管 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 27K |
| 代理商： | 1N5969 |
NOMINAL
TEST
ZENER
CURRENT
ZZK(1)
SURGE
TYPE
VOLTAGE
IZT
@
REGULATION
CURRENT
VZ@IZT
ZZ@IZT
IZK=5mA
v VZ
IR
VR
IZSM
±5%
VOLTS
mA
OHMS
VOLTS
A VOLTS
AMPS
1N6632
3.3
380
3.0
500
0.90
300
1.0
20.0
1N6633
3.6
350
2.5
500
0.80
250
1.0
18.7
1N6634
3.9
320
2.0
500
0.75
175
1.0
17.6
1N6635
4.3
290
2.0
500
0.70
25
1.0
16.4
1N6636
4.7
260
2.0
450
0.60
20
1.0
15.3
1N6637
5.1
240
1.5
400
0.50
5
1.0
14.4
1N5968
5.6
220
1.0
400
0.4
5000
4.28
20
1N5969
6.2
220
1.0
1000
0.5
1000
4.74
20
FIGURE 1
DESIGN DATA
CASE: Hermetically sealed, Glass “B”
Body per MIL-PRF- 19500/356
D-5B
LEAD MATERIAL: Copper clad steel
LEAD FINISH: Tin / Lead
THERMAL RESISTANCE: (ROJEC): 30
C/W maximum
THERMAL IMPEDANCE: (ZOJX): 3
C/W maximum
POLARITY: Diode to be operated with
the banded (cathode) end positive.
MOUNTING POSITION: Any
0.115/0.145
2.92/3.68
0.130/0.195
3.30/4.95
0.036/0.042
0.91/1.07
0.900
22.86
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176
PHONE (781) 665-1071
FAX (781) 665-7379
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com
E-mail: mail@cdi-diodes.com
AVAILABLE IN
JAN, JANTX, JANTXV, AND JANS
PER MIL-PRF-19500/356
5 WATT ZENER DIODES
NON CAVITY CONSTRUCTION
METALLURGICALLY BONDED
1N6632
THRU
1N6637
AND
1N5968
AND
1N5969
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C, unless otherwise specified
MAXIMUM RATINGS
Operating Temperature: -65°C to +175°C
Storage Temperature: -65°C to +175°C
Power Dissapation: 5W @ TL=+25°C, L=
3/
8”
Power Derating: 33mW/°C above TL=+25°C, L=
3/
8”
Forward Voltage: 1.5 V dc @ IF=1A dc
NOTE 1
IZK=1.0 mA for 1N5969
MAXIMUM ZENER IMPEDANCE
MAXIMUM REVERSE
LEAKAGE CURRENT
VOLTAGE
POLARITY
BAND
(CATHODE)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N6082 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 1N6083 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 1N6309US | surface mount silicon Zener diodes |
| 1N6309 | DIODE MIL-S-19500/429 |
| 1N6314US | surface mount silicon Zener diodes |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1N5969DUSJANTXV | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:1N5969DUSJANTXV - Trays |
| 1N5969US | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 6.2V 5% 5W 2PIN D-5B - Bulk |
| 1N5985A | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 2.4V 10% 480MW 2PIN DO-35 - Bulk |
| 1N5985B | 功能描述:穩壓二極管 2.4 Volt 500mW 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 1N5985B BK | 功能描述:DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:2.4V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:2,500 |
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