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參數資料
型號: 1N5999B
元件分類: 齊納二極管
英文描述: 9.1 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41
文件頁數: 1/2頁
文件大小: 109K
代理商: 1N5999B
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PDF描述
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1N6006B 18 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41
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參數描述
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1N5999B R0 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:DO-35;ZENER 500MW 9V1
1N5999B TR 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 7V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000
1N5999B_T50A 功能描述:穩壓二極管 Zener Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
1N5999B_T50R 功能描述:穩壓二極管 Zener Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
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