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參數資料
| 型號： | 1N6269 |
| 元件分類： | TVS二極管 - 瞬態電壓抑制 |
| 英文描述： | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201AD |
| 封裝： | PLASTIC, DO-27, 2 PIN |
| 文件頁數： | 2/3頁 |
| 文件大小： | 206K |
| 代理商： | 1N6269 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4006TA2B2 | 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N4007TR | 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 11ES2TA1B2 | 0.98 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 11DF3TR | 1 A, 300 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N5473C | VHF-UHF BAND, 56 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1N6269A | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 8.2V 1500W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| 1N6269A/1 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 1500W 8.2V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| 1N6269A/4 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 1500W 8.2V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| 1N6269A/54 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 1500W 8.2V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| 1N6269AE3 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Unidirectional & Bidirectional Transient Voltage Suppressors |
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