- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄364037 > 1N6301A (ON SEMICONDUCTOR) 1500 Watt MosorbE Zener Transient Voltage Transient Voltage PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 1N6301A |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 1500 Watt MosorbE Zener Transient Voltage Transient Voltage |
| 中文描述： | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 封裝： | PLASTIC, CASE 41A-04, 2 PIN |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 205K |
| 代理商： | 1N6301A |
1/6
1.5KE6V8A/440A
1.5KE6V8CA/440CA
TRANSIL
TM
I
PEAK PULSE POWER : 1500 W (10/1000
μ
s)
I
BREAKDOWN VOLTAGE RANGE :
From 6.8V to 440 V
I
UNI AND BIDIRECTIONAL TYPES
I
LOW CLAMPING FACTOR
I
FAST RESPONSE TIME
I
UL RECOGNIZED
FEATURES
DO-201
Symbol
Parameter
Value
Unit
P
PP
Peak pulse power dissipation (see note 1)
Tj initial = T
amb
1500
W
P
Power dissipation on infinite heatsink
T
amb
= 75°C
5
W
I
FSM
Non repetitive surge peak forward current
for unidirectional types
tp = 10ms
Tj initial = T
amb
200
A
T
stg
T
j
Storage temperature range
Maximum junction temperature
- 65 to + 175
175
°
C
°C
T
L
Maximum lead temperature for soldering during 10s at 5mm
from case
230
°
C
Note 1
: For a surge greater than the maximum values, the diode will fail in short-circuit.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
amb
= 25°C)
DESCRIPTION
Transil diodes provide high overvoltage protection
by clamping action. Their instantaneous response
to transient overvoltages makes them particularly
suited to protect voltage sensitive devices such
as MOS Technology and low voltage supplied
IC’s.
February 2002- Ed: 3A
Symbol
Parameter
Value
Unit
R
th (j-l)
Junction to leads
20
°C/W
R
th (j-a)
Junction to ambient on printed circuit.
L
lead
= 10 mm
75
°
C/W
THERMAL RESISTANCES
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N6303A | 1500 Watt MosorbE Zener Transient Voltage Transient Voltage |
| 1.5KE33A | 1500 Watt MosorbE Zener Transient Voltage Transient Voltage |
| 1.5KE36A | 1500 Watt MosorbE Zener Transient Voltage Transient Voltage |
| 1.5KE39A | 1500 Watt MosorbE Zener Transient Voltage Transient Voltage |
| 1.5KE43A | 1500 Watt MosorbE Zener Transient Voltage Transient Voltage |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1N6301AE3 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Unidirectional & Bidirectional Transient Voltage Suppressors |
| 1N6301AE3/TR13 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:1500W, BREAKDOWN VOLTAGE = 170V, ? 5%, UNI-DIR - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS UNI 1.5KW 170V 5% DO-201AD |
| 1N6301AG | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 170V 1500W Unidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| 1N6301AHE3/51 | 功能描述:TVS DIODE 234VC 6.4A IPP 1.5KE 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101，TransZorb? 包裝:散裝 零件狀態:停產 類型:齊納 單向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:145V 電壓 - 擊穿（最小值）:162V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:234V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:6.4A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW） 電源線路保護:無 應用:汽車級 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AA，DO-27，軸向 供應商器件封裝:1.5KE 標準包裝:1,500 |
| 1N6301AHE3_A/C | 功能描述:TVS DIODE 234VC 6.4A IPP 1.5KE 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101，TransZorb? 零件狀態:在售 類型:齊納 單向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:145V 電壓 - 擊穿（最小值）:162V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:234V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:6.4A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW） 電源線路保護:無 應用:汽車級 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AA，DO-27，軸向 供應商器件封裝:1.5KE 標準包裝:1,400 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。