型號: | 1N6383/71-E3 |
廠商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分類: | 參考電壓二極管 |
英文描述: | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
封裝: | PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN |
文件頁數: | 1/4頁 |
文件大小: | 62K |
代理商: | 1N6383/71-E3 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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1N6385/64-E3 | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
1.5SMC400CA/51-E3 | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
1N4385GP/51-E3 | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC |
1N4586GP/4G-E3 | 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC |
1N5391GP/4E-E3 | 1.5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AC |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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1N6383-E3/1 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 1500W 10V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
1N6383-E3/4 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 1500W 10V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
1N6383-E3/51 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 1500W 10V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
1N6383-E3/54 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 1500W 10V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
1N6383-E3/73 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 1500W 10V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |