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參數(shù)資料
| 型號： | 1N6642US |
| 廠商： | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | SWITCHING DIODES |
| 中文描述： | 0.3 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, GLASS, D-5D, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | 1N6642US |
V BR
V RWM
V F1
V F2
@I F2
tfr
trr
TYPES
@ IR
=100 μA
IFM
IF
IR= 10 mA
IF= 10 mA
IREC= 1 mA
=10 mA
(Pulsed)
(Pulsed)
=50 mA
V (pk)
V (pk)
V dc
V dc
mA
ns
ns
1N6638U & US
1N6642U & US
1N6643U & US
150
100
75
125
75
50
0.8
1.0
1.0
1.1
1.2
1.2
200
100
100
20
20
20
4.5
5.0
6.0
I R1
I R2
I R3
I R4
C T1
C T2
TYPES
V R
= 20 V
@V R
= V RWM
V R = 20 V
TA= 150°C
V R = V RWM
TA= 150°C
V R =
0V
V R =
1.5V
nA dc
μA dc
μA dc
μA dc
pF
pF
1N6638U & US
1N6642U & US
1N6643U & US
35
25
50
0.5
0.5
0.5
50
50
75
100
100
160
2.5
5.0
5.0
2.0
2.8
2.8
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176
PHONE (781) 665-1071
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com
FAX (781) 665-7379
E-mail: mail@cdi-diodes.com
MAXIMUM RATINGS
Operating Temperature: -65°C to +175°C
Storage Temperature: -65°C to +175°C
Operating Current: 300 mA
Derating: 4.6 mA/°C Above TEC = + 110°C
Surge Current: I
FSM
= 2.5A, half sine wave, Pw= 8.3ms
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
@ 25°C, unless otherwise specified.
1N6638US,1N6642US, 1N6643US AVAILABLE IN
JAN, JANTX, JANTXV
AND
JANS
PER MIL-PRF-19500/578
1N6638U,1N6642U, 1N6643U AVAILABLE IN
JAN, JANTX, JANTXV
AND
JANS
PER MIL-PRF-19500/578
SWITCHING DIODES
NON-CAVITY GLASS PACKAGE
METALLURGICALLY BONDED
1N6638U & US
1N6642U & US
1N6643U & US
DESIGN DATA
CASE:
D-5D, Hermetically sealed glass
case, per MIL-PRF- 19500/578
LEAD FINISH:
Tin / Lead
THERMAL RESISTANCE: (
ROJEC):
50 °C/W maximum at L = 0
THERMAL IMPEDANCE: (
ZOJX): 25
°C/W maximum
POLARITY:
Cathode end is banded.
MOUNTING SURFACE SELECTION:
The Axial Coefficient of Expansion
(COE) of this device is approximately
+ 4PPM / °C.The COE of the Mounting
Surface System should be selected to
provide a suitable match with this
device.
MILLIMETERS
MIN MAX
1.78
0.48
4.19
0.08MIN.
INCHES
MIN MAX
0.070 0.085
0.019 0.028
0.165 0.195
0.003MIN.
DIM
D
F
G
S
2.16
0.71
4.95
FIGURE 1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N6643U | SWITCHING DIODES |
| 1N6643US | SWITCHING DIODES |
| 1N6642 | SWITCHING DIODES |
| 1N6643 | SWITCHING DIODES |
| 1N6642 | COMPUTER DIODE Switching |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1N6642US/TR | 功能描述:SWITCHING 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 電流 - 平均整流（Io）:300mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 100mA 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:5ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 75V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，D 供應(yīng)商器件封裝:D-5D 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 |
| 1N6642USE3 | 功能描述:SWITCHING 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 電流 - 平均整流（Io）:300mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 100mA 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:5ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 75V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應(yīng)商器件封裝:B，SQ-MELF 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 |
| 1N6642USJANS | 制造商:Aeroflex 功能描述:Diode Switching 75V 0.3A 2-Pin US 制造商:Sensitron Semiconductors 功能描述:Diode Switching 75V 0.0003A 2-Pin D-5D |
| 1N6642USJANTXV/T/R | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:1N6642USJANTXV/T/R - Tape and Reel |
| 1N6643 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SIGNAL OR COMPUTER DIODE D LAW - Bulk 制造商:Semtech Corporation 功能描述:Diode, Switching, 50V, 300mA |
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