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參數(shù)資料
| 型號： | 1N753 |
| 廠商： | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 中文描述： | 6.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 33K |
| 代理商： | 1N753 |
Note:
(1) Valid provided that leads at a distance of 8 mm from case are kept at ambient temperature.
Features
1N746 THRU 1N759
SILICON PLANAR ZENER DIODES
Silicon Planar Zener Diodes
Standard Zener voltage tolerance is
10%. Add suffix A
for
5% tolerance. Other tolerances, non standard and
higher Zener voltages upon request.
Absolute Maximum Ratings (T
a=25
)
1
Symbols
Values
Units
Zener current see Table "Characteristics"
Power dissipation at T
amb=50
P
tot
400 1)
mW
Junction Temperature
T
j
175
Storage temperature range
T
S
-65 to +175
Note:
(1) Valid provided that leads at a distance of 8 mm from case are kept at ambient temperature.
Characteristics at T
amb=25
Symbols
Min.
Typ.
Max.
Units
Thermal resistance
junction to ambient Air
R
thA
-
0.3 1)
K/mW
Forward voltage at I
F=200mA
V
F
--
1.2
V
DIMENSIONS
DIM
inches
mm
Note
Min.
Max.
Min.
Max.
A
-
0.154
-
3.9
B
-
0.075
-
1.9
C
-
0.020
-
0.52
D
1.083
-
27.50
-
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N754 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 1N4460US | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 1N4461US | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 1N6487US | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 1N6489US | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1N753 (DO-35) | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE DO-35 SD - Bulk |
| 1N753-1 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON 400 mW ZENER DIODES |
| 1N753A | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 6.2V .5W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 1N753A BK | 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:2,500 |
| 1N753A TR | 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 |
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