型號: | 1N753A |
元件分類: | 齊納二極管 |
英文描述: | 6.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
封裝: | CHIP, 1 PIN |
文件頁數: | 1/2頁 |
文件大小: | 23K |
代理商: | 1N753A |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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1N754D | 6.8 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
1N755D | 7.5 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
1N757A | 9.1 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
1N758C | 10 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
1N759 | 12 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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1N753A BK | 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):7 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:2,500 |
1N753A TR | 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):7 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 |
1N753A TR (10K TAPE & REEL) | 功能描述:穩壓二極管 6.2V .4W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
1N753A_Q | 功能描述:穩壓二極管 6.2V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
1N753A_S00Z | 功能描述:穩壓二極管 6.2V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |