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參數資料
| 型號： | 1N756 |
| 廠商： | GE Security, Inc. |
| 英文描述： | Zener Diodes(齊納二極管) |
| 中文描述： | 齊納二極管（齊納二極管） |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 36K |
| 代理商： | 1N756 |
SYMBOL
VALUE
UNIT
Zener Current (see Table “Characteristics”)
Power Dissipation at T
L
= 75°C
P
tot
500
(1)
mW
Maximum Junction Temperature
T
j
175
°C
Storage Temperature Range
T
S
– 65 to +175
°C
NOTES:
(1) T
L
is measured 3/8” from body.
FEATURES
Silicon Planar Power Zener Diodes
Standard Zener voltage tolerance is ±5% for
“A” suffix. Other tolerances are available upon
request.
MECHANICAL DATA
Case:
DO-35 Glass Case
Weight:
approx. 0.13 g
MAXIMUM RATINGS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
1N746 THRU 1N759
ZENER DIODES
1/6/98
SYMBOL
MIN.
TYP
MAX.
UNIT
Thermal Resistance
Junction to Ambient Air
R
thJA
–
–
300
(1)
°C/W
Forward Voltage
at I
F
= 200 mA
V
F
–
–
1.5
Volts
NOTES:
(1) Valid provided that leads at a distance of 3/8” from case are kept at ambient temperature.
NEW PRODUCT
NEW PRODUCT
NEW PRODUCT
m
m
m
max.
Cathode
Mark
.020 (0.52)
max.
.079 (2.0)
DO-35
Dimensions are in inches and (millimeters)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N757 | Zener Diodes(齊納二極管) |
| 1N758 | Zener Diodes(齊納二極管) |
| 1N759 | Zener Diodes(齊納二極管) |
| 1N749 | Zener Diodes(齊納二極管) |
| 1N750 | Zener Diodes(齊納二極管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1N756 (DO-35) | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE DO-35 SD - Bulk |
| 1N756-1 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON 400 mW ZENER DIODES |
| 1N756A | 功能描述:穩壓二極管 8.2V .5W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 1N756A BK | 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:2,500 |
| 1N756A TR | 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 |
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