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參數資料
| 型號： | 1N758A |
| 廠商： | 樂山無線電股份有限公司 |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | surface mount silicon Zener diodes |
| 中文描述： | 硅表面貼裝齊納二極管 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 23K |
| 代理商： | 1N758A |
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176
PHONE (781) 665-1071
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com
FAX (781) 665-7379
E-mail: mail@cdi-diodes.com
MAXIMUM RATINGS
Operating Temperature: -65°C to +175°C
Storage Temperature: -65°C to +175°C
DC Power Dissipation: 500 mW @ +50°C
Power Derating: 4 mW / °C above +50°C
Forward Voltage @ 200mA: 1.1 volts maximum
1N746A-1 THRU 1N759-1 AVAILABLE IN
JAN, JANTX
AND
JANTXV
PER MIL-PRF-19500/127
1N4370A-1 THRU 1N4372A-1 AVAILABLE IN
JAN, JANTX
AND
JANTXV
PER MIL-PRF-19500/127
DOUBLE PLUG CONSTRUCTION
METALLURGICALLY BONDED
1N746
thru
1N759A
and
1N746A-1
thru
1N759A-1
and
1N4370
thru
1N4372A
and
1N4370A-1
thru
1N4372A-1
FIGURE 1
DESIGN DATA
CASE:
Hermetically sealed glass
case. DO – 35 outline.
LEAD MATERIAL:
Copper clad steel.
LEAD FINISH:
Tin / Lead
THERMAL RESISTANCE: (
ROJEC):
250 C/W maximum at L = .375 inch
THERMAL IMPEDANCE: (
ZOJX): 35
C/W maximum
POLARITY:
Diode to be operated with
the banded (cathode) end positive.
MOUNTING POSITION:
Any.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C
JEDEC
TYPE
NUMBER
NOMINAL
ZENER
VOLTAGE
VZ@ 1ZT
(NOTE 2)
ZENER
TEST
CURRENT
1ZT
MAXIMUM
ZENER
IMPEDANCE
(NOTE 3)
ZZT@ 1ZT
MAXIMUM
MAXIMUM
ZENER
CURRENT
1ZM
REVERSE CURRENT
I R@ V R
(NOTE 1)
VOLTS
mA
OHMS
μ
A
VOLTS
mA
1N4370A
1N4371A
1N4372A
2.4
2.7
3.0
20
20
20
30
30
29
100
60
30
1.0
1.0
1.0
155
140
125
1N746A
1N747A
1N748A
3.3
3.6
3.9
20
20
20
28
24
23
5
3
2
1.0
1.0
1.0
120
110
100
1N749A
1N750A
1N751A
4.3
4.7
5.1
20
20
20
22
19
17
2
5
5
1.0
1.5
2.0
90
85
75
1N752A
1N753A
1N754A
5.6
6.2
6.8
20
20
20
11
7
5
5
5
2
2.5
3.5
4.0
70
65
60
1N755A
1N756A
1N757A
7.5
8.2
9.1
20
20
20
6
8
2
1
1
5.0
6.0
7.0
55
50
45
10
1N758A
1N759A
10.0
12.0
20
20
17
30
1
1
8.0
9.0
40
35
NOTE 1
Zener voltage tolerance on "A" suffix is +5%. No Suffix denotes + 10% tolerance,
"C" suffix denotes + 2% tollerance and "D" suffix denotes + 1% tolerance.
NOTE 2
Zener voltage is measured with the device junction in thermal equilibrium at an ambient
temperature of 25°C + 3°C.
NOTE 3
Zener impedance is derived by superimposing on 1ZTA 60Hz rms a.c. current equal
to 10% of 1ZT
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N758A | Low Current Operation at 250??A???Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode(250??A?·￥?????μ?μ?????°????????????μ?μ?????????a?￡°???é???o3?o???????) |
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| 1N749AUR-1 | Zener Diodes(齊納二極管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1N758A BK | 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:17 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:2,500 |
| 1N758A NSC90 | 制造商:National Semiconductor 功能描述:1N758A |
| 1N758A TR | 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:17 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 |
| 1N758A_S00Z | 功能描述:穩壓二極管 10V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 1N758A_T50A | 功能描述:穩壓二極管 10V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
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