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參數資料
| 型號： | 1N916 |
| 英文描述： | HIGH SPEED SILICON SWITCHING DIODE |
| 中文描述： | 高速硅開關二極管 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 382K |
| 代理商： | 1N916 |
HIGH SPEED SILICON SWITCHING DIODE
IN914, B
IN916
250mW
DO- 35
Glass Axial Package
FEATURES
Intended for General Purpose Application.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)
DESCRIPTION
SYMBOL
VALUE
UNIT
Reverses Voltage ( Continuous)
VR
75
V
Repetitive Peak Reverse Voltage
VRRM
100
V
Average Forward Current
TA =25C
IF (AV)
75
mA
TA =150C
IF (AV)
10
mA
Forward Current (D.C.)
IF
75
mA
Repetitive Peak Forward Current
IFRM
225
mA
Non Repetitive Peak Surge Current
tp=1sec
IFSM
500
mA
Power Dissipation
Ptot
250
mW
Storage Temperature
Tstg
-65 to +200
C
Operating ambient Temperature
Tamb
-65 to +175
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25C unless specified otherwise)
DESCRIPTION
SYMBOL TEST CONDITION
MIN
TYP
MAX
UNIT
Forward Voltage
VF
IN914/916
IF=10
1.0
V
1N914B
IF=100mA,
1.0
V
IF=5mA,
0.62
0.72
V
Reverse Breakdown Voltage
V(BR)R
IR=100A
100
V
Reverse Current
IR
VR= 20V
25
n
Α
VR= 75V
5
A
VR= 20V, Tj=150C
Diode Capacitance
Cd
VR=0, f=1MHz
2.5
pF
Reverse Recovery Time
trr
IF=10mA to IR=10mA
8ns
RL=100
Measured at IR=1mA
IF=10mA to IR=60mA
4ns
RL=100
Measured at IR=1mA
Transys
Electronics
LI M ITE D
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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