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參數資料
型號: 1N958B
廠商: Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: Silicon Z-Diodes
中文描述: 硅的Z -二極管
文件頁數: 1/2頁
文件大小: 110K
代理商: 1N958B
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176
PHONE (781) 665-1071
FAX (781) 665-7379
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com
E-mail: mail@cdi-diodes.com
MAXIMUM RATINGS
Operating Temperature: -65°C to +175°C
Storage Temperature: -65°C to +175°C
DC Power Dissipation: 500 mW @ +50°C
Power Derating: 4 mW / °C above +50°C
Forward Voltage @ 200mA: 1.1volts maximum
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C
JEDEC
NOMINAL
ZENER
MAX. DC
TYPE
ZENER
TEST
MAXIMUM ZENER IMPEDANCE
ZENER
MAX. REVERSE
NUMBER
VOLTAGE
CURRENT
LEAKAGE CURRENT
V
Z
1
ZT
(NOTE 3)
(NOTE 1)
(NOTE 2)
Z
ZT
@ 1
ZT
Z
ZK
@ 1
ZK
1
ZM
l
R
@ V
R
VOLTS
mA
OHMS
mA
A
VOLTS
1N957B
6.8
18.5
4.5
700
1.0
55
5
5.2
1N958B
7.5
16.5
5.5
700
.5
50
5
5.7
1N959B
8.2
15.0
6.5
700
.5
45
5
6.2
1N960B
9.1
14.0
7.5
700
.5
41
5
6.9
1N961B
10
12.5
8.5
700
.25
38
2
7.6
1N962B
11
11.5
9.5
700
.25
32
1
8.4
1N963B
12
10.5
11.5
700
.25
31
1
9.1
1N964B
13
9.5
13
700
.25
28
0.5
9.9
1N965B
15
8.5
16
700
.25
25
0.5
11
1N966B
16
7.8
17
700
.25
24
0.5
12
1N967B
18
7.0
21
750
.25
20
0.5
14
1N968B
20
6.2
25
750
.25
18
0.5
15
1N969B
22
5.6
29
750
.25
16
0.5
17
1N970B
24
5.2
33
750
.25
15
0.5
18
1N971B
27
4.6
41
750
.25
13
0.5
21
1N972B
30
4.2
49
1000
.25
12
0.5
23
1N973B
33
3.8
58
1000
.25
11
0.5
25
1N974B
36
3.4
70
1000
.25
10
0.5
27
1N975B
39
3.2
90
1000
.25
9.5
0.5
30
1N976B
43
3.0
93
1500
.25
8.8
0.5
33
1N977B
47
2.7
105
1500
.25
7.9
0.5
36
1N978B
51
2.5
125
1500
.25
7.4
0.5
39
1N979B
56
2.2
150
2000
.25
6.8
0.5
43
1N980B
62
2.0
185
2000
.25
6.0
0.5
47
1N981B
68
1.8
230
2000
.25
5.5
0.5
52
1N982B
75
1.7
270
2000
.25
5.0
0.5
56
1N983B
82
1.5
330
3000
.25
4.6
0.5
62
1N984B
91
1.4
400
3000
.25
4.1
0.5
69
1N985B
100
1.3
500
3000
.25
3.7
0.5
76
1N986B
110
1.1
750
4000
.25
3.3
0.5
84
NOTE 1
Zener voltage tolerance on "B"suffix is + 5%. Suffix letter A denotes +10%. No Suffix
denotes + 20% tolerance, "C" suffix denotes + 2% and "D" suffix denotes + 1%.
NOTE 2
Zener voltage is measured with the device junction in thermal equilibrium at
an ambient temperature of 25°C + 3°C.
NOTE 3
Zener impedance is derived by superimposing on 1
ZT
A 60Hz rms a.c. current
equal to 10% of 1
ZT
FIGURE 1
DESIGN DATA
CASE: Hermetically sealed glass
case. DO – 35 outline.
LEAD MATERIAL: Copper clad steel.
LEAD FINISH: Tin / Lead
THERMAL RESISTANCE: (ROJEC):
250 C/W maximum at L = .375 inch
THERMAL IMPEDANCE: (ZOJX): 35
C/W maximum
POLARITY: Diode to be operated with
the banded (cathode) end positive.
MOUNTING POSITION: Any.
1N962B-1 THRU 1N986B-1 AVAILABLE IN
JAN, JANTX AND JANTXV
PER MIL-PRF-19500/117
METALLURGICALLY BONDED
DOUBLE PLUG CONSTRUCTION
1N957 thru 1N986B
and
1N962B-1 thru 1N986B-1
相關PDF資料
PDF描述
1N962B Silicon Z-Diodes
1.5KE51 TRANSZORB Transient Voltage Suppressors
1.5KE510 TRANSZORB Transient Voltage Suppressors
1.5KE510A TRANSZORB Transient Voltage Suppressors
1N4154 Silicon Epitaxial Planar Diode
相關代理商/技術參數
參數描述
1N958B BK 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):5.5 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:75μA @ 5.7V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:2,500
1N958B TR 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):5.5 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:75μA @ 5.7V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000
1N958B 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Diode
1N958B_Q 功能描述:穩壓二極管 7.5V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
1N958B_T50A 功能描述:穩壓二極管 7.5V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
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