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參數資料
型號: 1N958B
廠商: Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述: Silicon Z-Diodes(穩定電壓7.5V,穩定電流20mA的硅齊納二極管)
中文描述: 硅的Z -二極管(穩定電壓7.5V至,穩定電流20mA的的硅齊納二極管)
文件頁數: 1/3頁
文件大小: 33K
代理商: 1N958B
1N957B...1N963B
Vishay Telefunken
Rev. A3, 13-Nov-98
1 (3)
Silicon Z–Diodes
Features
Very sharp reverse characteristic
Very high stability
Low reverse current level
V
Z
–tolerance
±
5%
Applications
Voltage stabilization
94 9367
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25 C
Parameter
Power dissipation
Z–current
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
75 C
Type
Symbol
P
V
I
Z
T
j
T
stg
Value
500
P
V
/V
Z
200
–65...+200
Unit
mW
mA
C
C
T
L
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25 C
Parameter
Junction ambient
Test Conditions
Symbol
R
thJA
Value
300
Unit
K/W
l=9.5mm (3/8”), T
L
=constant
Electrical Characteristics
T
j
= 25 C
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
I
F
=200mA
Type
Symbol
V
F
Min
Typ
Max
1.1
Unit
V
相關PDF資料
PDF描述
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1N959B Silicon Z-Diodes
相關代理商/技術參數
參數描述
1N958B BK 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):5.5 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:75μA @ 5.7V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:2,500
1N958B TR 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):5.5 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:75μA @ 5.7V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000
1N958B 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Diode
1N958B_Q 功能描述:穩壓二極管 7.5V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
1N958B_T50A 功能描述:穩壓二極管 7.5V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
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