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參數資料
| 型號： | 1N960 |
| 廠商： | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | METALLURGICALLY BONDED DOUBLE PLUG CONSTRUCTION |
| 中文描述： | 9.1 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 封裝： | HERMETICALLY SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 34K |
| 代理商： | 1N960 |
Note:
(1) Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 8 mm from case.
Features
1N957 THRU 1N978
SILICON PLANAR ZENER DIODES
Silicon Planar Zener Diodes
Standard Zener voltage tolerance is
for
10% tolerance and suffix B for
Other tolerances, non standard and higher Zener voltages
upon request.
20%. Add suffix A
5% tolerance.
Absolute Maximum Ratings
(T
a
=25
)
1
Symbols
Values
Units
Zener current see Table "Characteristics"
Power dissipation at T
amb
=50
P
tot
400
1)
mW
Junction temperature
T
j
175
Storage temperature range
T
S
-65 to +175
Note:
(1) Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 8 mm from case.
Characteristics
at
T
amb
=25
Symbols
Min.
Typ.
Max.
Units
Thermal resistance
junction to ambient Air
R
thA
-
-
0.3
1)
K/mW
Forward voltage at I
F
=200mA
V
F
-
-
1.5
V
DIMENSIONS
DIM
inches
mm
Note
Min.
Max.
Min.
Max.
A
-
0.154
-
3.9
B
-
0.075
-
1.9
C
-
0.020
-
0.52
D
1.083
-
27.50
-
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N960A | METALLURGICALLY BONDED DOUBLE PLUG CONSTRUCTION |
| 1N960C | METALLURGICALLY BONDED DOUBLE PLUG CONSTRUCTION |
| 1N960D | METALLURGICALLY BONDED DOUBLE PLUG CONSTRUCTION |
| 1N961 | INDUCTOR 915UH .625A ROD CORE |
| 1N960 | surface mount silicon Zener diodes |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1N960A | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Silicon 500 mW Zener Diodes |
| 1N960B | 功能描述:穩壓二極管 9.1V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 1N960B BK | 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7.5 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 6.9V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:2,500 |
| 1N960B TR | 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7.5 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 6.9V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 |
| 1N960B_Q | 功能描述:穩壓二極管 9.1V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
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