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參數資料
| 型號： | 1N961B |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Half Watt Zener(耗散功率為0.5瓦的齊納二極管) |
| 中文描述： | 10 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 封裝： | GLASS PACKAGE-2 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 21K |
| 代理商： | 1N961B |
Device
V
Z
(V)
Z
Z
(
)
I
ZT
(mA)
Z
ZK
(
)
I
ZK
(mA)
I
R
(
μ
A)
V
R
(V)
T
C
(%/
°
C)
I
ZM
*
(mA)
1N957B
1N958B
1N959B
1N960B
1N961B
1N962B
1N963B
1N964B
1N965B
1N966B
1N967B
1N968B
1N969B
1N970B
1N971B
1N972B
1N973B
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
4.5
5.5
6.5
7.5
8.5
9.5
11.5
13
16
17
21
25
29
33
41
49
58
18.5
16.5
15
14
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.8
7.0
6.2
5.6
5.2
4.6
4.2
3.8
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
1,000
1,000
1.0
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
150
75
50
25
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5.2
5.7
6.2
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
0.05
0.058
0.062
0.068
0.072
0.073
0.076
0.079
0.082
0.083
0.085
0.086
0.087
0.088
0.090
0.091
0.092
47
42
38
35
32
28
26
24
21
19
17
15
14
13
11
10
9.2
1N957B - 1N973B Series Half Watt Zeners
Absolute Maximum Ratings*
TA = 25°C unless otherwise noted
Tolerance: B = 5%
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
@
@
@
NOTES
:
1)
These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C.
2)
These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed
or low duty cycle operations.
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.
1
*
IZM (Maximum Zener Current Rating) Values shown are based on the JEDEC rating of 400 milliwatts. Where the actual zener voltage (VZ) is known
at the operating point, the maximum zener current may be increased and is limited by the derating curve.
Parameter
Value
Units
Storage Temperature Range
Maximum Junction Operating Temperature
Lead Temperature (1/16” from case for 10 seconds)
Total Device Dissipation
Derate above 25
°
C
-65 to +200
+ 175
+ 230
500
3.33
°
C
°
C
°
C
mW
mW/
°
C
DO-35
Discrete POWE R & Signal
Technologies
1997 Fairchild Semiconductor Corporation
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N971B | Half Watt Zener(耗散功率為0.5瓦的齊納二極管) |
| 1PMT22AT1 | Zener Transient Voltage Suppressor，POWERMITE Package(齊納抗雷管(TVS),POWERMITE 封裝) |
| 1PMT22AT3 | Zener Overvoltage Transient Suppressor(峰值功率175W，塑料表貼封裝，25.6V峰值反向電壓，齊納瞬變電壓抑制器) |
| 1PMT24AT1 | Zener Transient Voltage Suppressor，POWERMITE Package(齊納抗雷管(TVS),POWERMITE 封裝) |
| 1PMT24AT3 | Zener Overvoltage Transient Suppressor(峰值功率175W，塑料表貼封裝，28.1V峰值反向電壓，齊納瞬變電壓抑制器) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1N961B BK | 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8.5 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 7.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:2,500 |
| 1N961B TR | 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8.5 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 7.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 |
| 1N961B | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Zener Diode |
| 1N961B_Q | 功能描述:穩壓二極管 10V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 1N961B_S00Z | 功能描述:穩壓二極管 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
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