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參數資料
| 型號： | 1N962B |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 11 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 119K |
| 代理商： | 1N962B |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N968B | 20 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N990 | 160 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N5615 | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AP |
| 1N6483 | 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB |
| 1N5225BAMO | 3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1N962B BK | 功能描述:DIODE ZENER 11V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:9.5 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 8.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:2,500 |
| 1N962B TR | 功能描述:DIODE ZENER 11V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:9.5 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 8.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 |
| 1N962B_Q | 功能描述:穩壓二極管 11V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 1N962B_S00Z | 功能描述:穩壓二極管 11V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 1N962B_T50A | 功能描述:穩壓二極管 11V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
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