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參數資料
| 型號： | 1PMT5956B |
| 英文描述： | Zener Voltage Regulator Diode[Qual Data] |
| 中文描述： | 齊納穩壓二極管[音頻質量數據] |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 110K |
| 代理商： | 1PMT5956B |
MSC0995.PDF
ISO 9001 CERTIFIED
REV F 11/01/99
8700 E. Thomas Road
Scottsdale, AZ 85251
Tel: (480) 941-6300
Fax: (480) 947-1503
DESCRIPTION
In Microsemi's Powermite
surface mount package, these zener diodes
provide power-handling capabilities (
3.0 WATTS
) found in larger packages.
In addition to its size advantages, Powermite
package features include a
full metallic bottom that eliminates the possibility of solder flux entrapment
during assembly, and a unique locking tab acts as an integral heat sink. Its
innovative design makes this device ideal for use with automatic insertion
equipment.
FEATURES
Surface Mount Packaging
Integral Heat Sink Locking Tabs
Compatible with automatic insertion equipment
Full metallic bottom eliminates flux entrapment
Zener voltage 3.3 to 200 Volts
Low reverse leakage
Tight tolerance available
ESD Rating of >16kV per human body model
MAXIMUM RATINGS
Junction and storage temperatures: -55
°
C to +150
°
C
DC power dissipation: 3.0 watt with TAB 1
60°C
Forward voltage:
@ 200 mA 1.2 volts
Packaging
·
PACKAGING
Tape & Reel EIA Standard 481
7 inch 3,000 pieces
13 inch 12,000 pieces
Mechanical Specifications
Mounting Pad Dimensions
POWERMITE
3.0 WATT
Zener Diodes
1PMT5913B
thru
1PMT5956B
MECHANICAL CHARACTERISTICS
Cathode designated by TAB 1
Mounting position any way
Molded package
Weight: 0.016 gram (approximate)
Thermal resistance 30°C/W junction to TAB1
CIRCUIT DIAGRAM
DO-216
All dimensions +/- .005 inches
Inches
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1PMT5.0AT1 | Zener Transient Voltage Suppressor POWERMITE Package |
| 1PMT5.0AT3 | Zener Transient Voltage Suppressor POWERMITE Package |
| 1PMT5.0AT3G | Zener Transient Voltage Suppressor POWERMITE Package |
| 1PMT50AT1 | Zener Transient Voltage Suppressor POWERMITE Package |
| 1PMT51AT1 | Zener Transient Voltage Suppressor POWERMITE Package |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1PMT5956B/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 200V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:200V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:1200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 152V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216AA 標準包裝:12,000 |
| 1PMT5956B/TR7 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 3W 200V 5% POWERMITE |
| 1PMT5956BE3/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 200V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:200V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:1200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 152V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216AA 標準包裝:12,000 |
| 1PMT5956BE3/TR7 | 功能描述:DIODE ZENER 200V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:200V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:1200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 152V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216AA 標準包裝:3,000 |
| 1PMT5956C/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 200V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:200V 容差:±2% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:1200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 152V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216AA 標準包裝:12,000 |
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