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參數資料
| 型號： | 1SMB85ABKLEADFREE |
| 廠商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | 1SMB85ABKLEADFREE |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4692TRLEADFREE | 6.8 V, 0.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1SMB9.0ABKLEADFREE | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1N4694CLEADFREE | 8.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1SMB9.0CABKLEADFREE | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1SMB90ABKLEADFREE | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1SMB85AT3 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 85V 600W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| 1SMB85AT3G | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 85V 600W Unidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| 1SMB85CA TR13 | 功能描述:TVS DIODE 85VWM 137VC SMB 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 類型:齊納 單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:85V 電壓 - 擊穿（最小值）:94.4V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:137V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:4.4A 功率 - 峰值脈沖:600W 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應商器件封裝:SMB 標準包裝:1 |
| 1SMB9.0A TR13 | 功能描述:TVS DIODE 9VWM 15.4VC SMB 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:停產 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:9V 電壓 - 擊穿（最小值）:10V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:15.4V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:39A 功率 - 峰值脈沖:600W 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應商器件封裝:SMB 標準包裝:1 |
| 1SMB9.0AT3 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 9V 600W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
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