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參數資料
| 型號： | 1SS104 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | SILICON PLANAR TYPE DIODE |
| 中文描述： | 硅平面型二極管 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 68K |
| 代理商： | 1SS104 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1SS106 | Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector, High Speed Switching |
| 1SS118 | Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching |
| 1SS119 | Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching |
| 1SS120 | Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching |
| 1SS123 | SILICON SWITCHING DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1SS106 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector, High Speed Switching |
| 1SS106-E | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Diode Schottky 10V 0.03A 2-Pin DO-35 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Diode Schottky 10V 0.03A 2-Pin DO-35 Bulk |
| 1SS108 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector, High Speed Switching |
| 1SS110 | 制造商:Hitachi 功能描述: |
| 1SS118 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:DIODE |
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