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參數(shù)資料
| 型號： | 1SS403 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | DIODE (HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS) |
| 中文描述： | 二極管（高壓開關(guān)應用） |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 125K |
| 代理商： | 1SS403 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 1SS403,H3F | 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 100MA USC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復時間（trr）:60ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:3pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-76，SOD-323 供應商器件封裝:USC 工作溫度 - 結(jié):125°C（最大） 標準包裝:1 |
| 1SS403_07 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:High Voltage Switching Applications |
| 1SS403TPH3F | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) Vr=200V If=0.1A 2Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| 1SS404 | 制造商:BILIN 制造商全稱:Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Diode |
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