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參數資料
| 型號： | 1SV100 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 中文描述： | 硅外延平面型變容二極管 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 116K |
| 代理商： | 1SV100 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1SV101 | VARIABLE CAPACITANCE DIODE (FM TUNER APPLICATIONS) |
| 1SV102 | Battery Holder; Battery Sizes Accepted:C; Body Material:Nylon; Contact Material:Brass; Contact Plating:Tin; Leaded Process Compatible:Yes; No. of Batteries:1; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes RoHS Compliant: Yes |
| 1SV103 | Variable Capacitance Diode, FM Radio Band Tuning Applications |
| 1SV123 | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 1SV128 | DIODE (VHF~UHF BAND RF ATTENUATOR APPLICATIONS) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1SV101 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:DIODE |
| 1SV101(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:15V 28pF to 32pF MINI Bulk |
| 1SV101(TPE4,F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 1SV102 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:VARIABLE CAPACITANCE DIODE (AM RADIO BAND TUNING APPLICATIONS) |
| 1SV103 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Variable Capacitance Diode, FM Radio Band Tuning Applications |
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