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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 1T238-3M |
| 元件分類： | 變?nèi)荻O管 |
| 英文描述： | HF-UHF BAND, 33 pF, 12 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/1頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 59K |
| 代理商： | 1T238-3M |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1T234A-2M | HF-UHF BAND, 22 pF, 12 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 1N1551 | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N253 | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N1236A | 1.6 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N3911 | 30 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1-T250 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 1T2810NKE01U24491 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| 1T2G | 功能描述:整流器 1A,100V,Std GLASS Pass Rect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| 1T2G A0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 100V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:10pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18，軸向 供應(yīng)商器件封裝:TS-1 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 |
| 1T2G A1G | 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 100V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:10pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18，軸向 供應(yīng)商器件封裝:TS-1 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 |
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