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參數資料
型號: 1T5G
元件分類: 二極管(射頻、小信號、開關、功率)
英文描述: 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝: GREEN, MINIATURE, PLASTIC, TS-1, 2 PIN
文件頁數: 1/2頁
文件大小: 444K
代理商: 1T5G
相關PDF資料
PDF描述
1T7G 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE
1T33A SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE
1T33C-T7 38 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE
1T359 VHF-UHF BAND, 29.5 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE
1T369 43.4 pF, 34 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE
相關代理商/技術參數
參數描述
1T5G A0G 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 不同?Vr,F 時的電容:10pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:TS-1 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:3,000
1T5G A1G 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 不同?Vr,F 時的電容:10pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:TS-1 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:3,000
1T5G R0 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode 600V 1A 2-Pin TS-1 T/R
1T5G R0G 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 不同?Vr,F 時的電容:10pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:TS-1 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:5,000
1T5GT 制造商:Tubes 功能描述:
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