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23ME468

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功能描述
薄膜電容器 POLY MET 250V .68uF
RoHS
否
制造商
Vishay/BC Components
產品類型
電介質
電容
容差
電壓額定值
系列
工作溫度范圍
端接類型
引線間隔

23ME468 技術參數

23LCV512T-I/ST 功能描述:靜態隨機存取存儲器 512K 2.5V SPI SERIAL 靜態隨機存取存儲器 Vbat RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray 23LCV512T-I/SN 功能描述:靜態隨機存取存儲器 512K 2.5V SPI SERIAL 靜態隨機存取存儲器 Vbat RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray 23LCV512T-E/ST 功能描述:靜態隨機存取存儲器 512K 2.5V SPI SERIAL 靜態隨機存取存儲器 Vbat RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray 23LCV512T-E/SN 功能描述:靜態隨機存取存儲器 512K 2.5V SPI SERIAL 靜態隨機存取存儲器 Vbat RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray 23LCV512-I/ST 功能描述:靜態隨機存取存儲器 512K 2.5V SPI SERIAL 靜態隨機存取存儲器 Vbat RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray 23S05-1HDCGI 23S05-1HDCGI8 23S05E-1DCG 23S05E-1DCG8 23S05E-1DCGI 23S05E-1DCGI8 23S05E-1HDCG 23S05E-1HDCG8 23S05E-1HDCGI 23S05E-1HDCGI8 23S05T-1DCG 23S05T-1DCG8 23S05T-1DCGI 23S05T-1DCGI8 23S08-1DCG 23S08-1DCG8 23S08-1DCGI 23S08-1DCGI8