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2DB1386Q-13

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

2DB1386Q-13
深圳市深美諾電子科技有限公司
深圳市深美諾電子科技有限公司
聯系人：李燕兵
電話：82525918
地址：深圳市福田區華強北路上步工業區101棟5樓517-532室
資質：營業執照
6000
DIODES
SOT89
22+
-
全新原裝現貨供應

2DB1386Q-13
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
9000
DIODES
SOT89
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

2DB1386Q-13
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
TY/臺灣半導體
SOT89-3
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

2DB1386Q-13
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
Diodes
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

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1

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2DB1386Q-13 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

2DB1386Q-13 PDF下載

功能描述
兩極晶體管 - BJT 1000W -20Vceo
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶體管極性
PNP
集電極—基極電壓 VCBO
集電極—發射極最大電壓 VCEO
- 40 V
發射極 - 基極電壓 VEBO
- 6 V
集電極—射極飽和電壓
最大直流電集電極電流
增益帶寬產品fT
直流集電極/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作溫度
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
PowerFLAT 2 x 2

2DB1386Q-13 技術參數

2DB1188R-13 功能描述:TRANS PNP 32V 2A SOT89-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:800mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:120MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89-3 標準包裝:1 2DB1188Q-13 功能描述:TRANS PNP 32V 2A SOT89-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:800mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:120MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89-3 標準包裝:1 2DB1188P-13 功能描述:TRANS PNP 32V 2A SOT89-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:800mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:82 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:120MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89 標準包裝:1 2DB1184Q-13 功能描述:TRANS PNP 50V 3A DPAK 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:15W 頻率 - 躍遷:110MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:TO-252，（D-Pak）標準包裝:1 2DB1182Q-13 功能描述:TRANS PNP 32V 2A TO252 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:800mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:110MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:TO-252 標準包裝:1 2DB-52P 2DB-52PA156 2DB-52PA156A183 2DB-52PA183 2DB52PBR 2DB52PBRP 2DB52P-F0 2DB-52PF171 2DB-52PF171F0 2DB-52PF172 2DB-52PF172F0 2DB-52PF173 2DB52P-F173-F0 2DB52PF238B 2DB52S 2DB52S-A106 2DB-52SA156 2DB-52SA156A183