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2DD2150RDICT

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2DD2150RDICT 技術參數

2DD2150R-13 功能描述:TRANS NPN 20V 3A SOT89-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 100mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:160MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89-3 標準包裝:1 2DD2098R-13 功能描述:TRANS NPN 20V 5A SOT89-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 100mA，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:220MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89-3 標準包裝:1 2DD1766R-13 功能描述:TRANS NPN 32V 2A SOT89-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:800mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:220MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89-3 標準包裝:1 2DD1766Q-13 功能描述:TRANS NPN 32V 2A SOT89-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:800mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:220MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89-3 標準包裝:2,500 2DD1766P-13 功能描述:TRANS NPN 32V 2A SOT89-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 零件狀態:在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:800mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:82 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:220MHz 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89-3 標準包裝:2,500 2DDK100P-F0 2DDR100P-F0 2DDR100S 2DDR-100SF0 2DE103J 2DE103K 2DE-19P 2DE-19PA160 2DE19P-A160 2DE19PBR 2DE19PBRP 2DE19P-F0 2DE-19PF115 2DE-19PF171 2DE-19PF172 2DE19P-F173 2DE19P-F173-F0 2DE19P-F225-F0