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2N3530

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2N3530 技術參數
  • 2N3507U4 功能描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 2N3507L 功能描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 2N3507AU4 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/349 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 1.5A，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD，無引線 供應商器件封裝:U4 標準包裝:1 2N3507AL 功能描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 2N3507 功能描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 2N3636 2N3636L 2N3636UB 2N3637 2N3637L 2N3637UB 2N3663 2N3700 2N3700UB 2N3701 2N3702 2N3702_D26Z 2N3702_D27Z 2N3702_D75Z 2N3703 2N3704 2N3704_D26Z 2N3704_D27Z
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