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2N3825

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    2N3825

    2N3825

  • 北京首天偉業科技有限公司
    北京首天偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業執照

  • 5000

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共3條 
  • 1
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  • 制造商
  • 未知廠家
  • 制造商全稱
  • 未知廠家
  • 功能描述
  • TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92
2N3825 技術參數
  • 2N3823 功能描述:JFET N-Channel 30V 20mA @ 15V 300mW Through Hole TO-72 制造商:microsemi ire division 系列:軍用, MIL-PRF-19500/375 包裝:散裝 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):30V 漏源極電壓(Vdss):30V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):20mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:* 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):8V @ 500pA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6pF @ 15V 電阻 - RDS(開):* 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AF,TO-72-4 金屬罐 供應商器件封裝:TO-72 標準包裝:1 2N3822 功能描述:JFET N-Channel 50V 10mA @ 15V 300mW Through Hole TO-72 制造商:microsemi ire division 系列:軍用, MIL-PRF-19500/375 包裝:散裝 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):50V 漏源極電壓(Vdss):50V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):10mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):6V @ 500pA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6pF @ 15V 電阻 - RDS(開):- 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AF,TO-72-4 金屬罐 供應商器件封裝:TO-72 標準包裝:1 2N3821 功能描述:JFET N-Channel 50V 2.5mA @ 15V 300mW Through Hole TO-72 制造商:microsemi ire division 系列:軍用, MIL-PRF-19500/375 包裝:散裝 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):50V 漏源極電壓(Vdss):50V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):2.5mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):4V @ 0.5nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6pF @ 15V 電阻 - RDS(開):- 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AF,TO-72-4 金屬罐 供應商器件封裝:TO-72 標準包裝:1 2N3820_D26Z 功能描述:JFET P-CH 20V 0.35W TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:P 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):20V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):300μA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):8V @ 10μA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):32pF @ 10V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 標準包裝:2,000 2N3820 功能描述:JFET P-CH 20V 300MA 360MW TO92 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):20V 漏源電壓(Vdss):20V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):300mA @ 10V 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):8V @ 10μA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):32pF @ 10V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:TO-92 標準包裝:2,500 2N3879 2N3902 2N3903 2N3903_D26Z 2N3903_D27Z 2N3903_D74Z 2N3903_S00Z 2N3903RLRM 2N3904 2N3904,116 2N3904,412 2N3904_D10Z 2N3904_D27ZS00Z 2N3904_D28Z 2N3904_D81Z 2N3904_J05Z 2N3904_J18Z 2N3904_J25Z
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