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2N4118A-2

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    2N4118A-2

    2N4118A-2

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 5000

  • VISHAY SI

  • 1521+

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  • 全新原裝現貨

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  • 制造商
  • Vishay Siliconix
  • 功能描述
  • TRANS JFET N-CH 3PIN TO-72 - Bulk
2N4118A-2 技術參數
  • 2N4118A 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):80μA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):1V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3pF @ 10V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AF,TO-72-4 金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AF(TO-72) 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:200 2N4117A-E3 功能描述:MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):30μA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):600mV @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3pF @ 10V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AF,TO-72-4 金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AF(TO-72) 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:200 2N4117A-2 功能描述:MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):30μA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):600mV @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3pF @ 10V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AF,TO-72-4 金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AF(TO-72) 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:20 2N4117A 功能描述:DIE MOSFET N-CH 40V 制造商:fairchild/micross components 系列:* 零件狀態:有效 標準包裝:25 2N4093UB 功能描述:N CHANNEL JFET 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 2N4123TF 2N4123TFR 2N4124 2N4124_J18Z 2N4124_S00Z 2N4124BU 2N4124G 2N4124TA 2N4124TAR 2N4124TF 2N4124TFR 2N4125_S00Z 2N4125BU 2N4125TA 2N4125TAR 2N4125TF 2N4125TFR 2N4126
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