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2N4393-E3

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 2N4393-E3
    2N4393-E3

    2N4393-E3

  • 深圳市銘昌源科技有限公司
    深圳市銘昌源科技有限公司

    聯系人:優質現貨代理商

    電話:0755-82774613鄧先生(13480915249)微信同步0755-82774613鄧先生

    地址:深圳市福田區振興路上步商務中心大廈205棟5A10

    資質:營業執照

  • 19932

  • 原廠

  • SMD

  • 22+

  • -
  • 授權分銷商,可追溯原廠可含稅

  • 2N4393-E3
    2N4393-E3

    2N4393-E3

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 665

  • VISHAY SI

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • 2N4393-E3
    2N4393-E3

    2N4393-E3

  • 深圳市華雄半導體(集團)有限公司
    深圳市華雄半導體(集團)有限公司

    聯系人:雷精云

    電話:18988598856

    地址:深圳龍崗區棕科云端大廈1棟B座15層

    資質:營業執照

  • 4345

  • VISHAY

  • CAN

  • 2212+

  • -
  • 十年專營,供應原裝正品!熱賣現貨!

  • 1/1頁 40條/頁 共19條 
  • 1
2N4393-E3 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • JFET 55V 5pA
  • RoHS
  • 制造商
  • ON Semiconductor
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 漏極電流(Vgs=0 時的 Idss)
  • 50 mA
  • 漏源電壓 VDS
  • 15 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 漏極連續電流
  • 50 mA
  • 配置
  • 安裝風格
  • 封裝 / 箱體
  • SC-59
  • 封裝
  • Reel
2N4393-E3 技術參數
  • 2N4393-2 功能描述:MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):5mA @ 20V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):500mV @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):14pF @ 20V 電阻 - RDS(開):100 歐姆 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:1.8W 標準包裝:20 2N4393 功能描述:JFET N-CH 40V 1.8W TO-18 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):5mA @ 20V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):500mV @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):14pF @ 20V 電阻 - RDS(開):100 歐姆 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-18 功率 - 最大值:1.8W 標準包裝:2,000 2N4392UB 功能描述:N CHANNEL JFET 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 2N4392-E3 功能描述:MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):25mA @ 20V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):2V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):14pF @ 20V 電阻 - RDS(開):60 歐姆 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:1.8W 標準包裝:200 2N4392-2 功能描述:MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):25mA @ 20V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):2V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):14pF @ 20V 電阻 - RDS(開):60 歐姆 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:1.8W 標準包裝:20 2N4400TFR 2N4401 2N4401,116 2N4401_D11Z 2N4401_D81Z 2N4401_J05Z 2N4401_J18Z 2N4401_J25Z 2N4401_J60Z 2N4401_J61Z 2N4401_S00Z 2N4401-AP 2N4401BU 2N4401G 2N4401NLBU 2N4401RLRA 2N4401RLRAG 2N4401RLRM
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