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2N4859JTXV02

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  • 制造商
  • Vishay Siliconix
  • 功能描述
  • TRANS JFET N-CH 3PIN TO-206AA - Bulk
2N4859JTXV02 技術參數
  • 2N4859JTXL02 功能描述:JFET N-CH 30V 360MW TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態:生命周期結束 FET 類型:- 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):- 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:- 標準包裝:40 2N4859JTX02 功能描述:JFET N-CH 30V 360MW TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態:生命周期結束 FET 類型:- 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):- 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:- 標準包裝:40 2N4859JAN02 功能描述:JFET N-CH 30V 360MW TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態:生命周期結束 FET 類型:- 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):- 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:- 標準包裝:40 2N4859A 功能描述:JFET N-CH 30V 50MA 360MW TO18 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):30V 漏源電壓(Vdss):30V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):50mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:250pA 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):10V @ 500pA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):10pF @ 10V(VGS) 電阻 - RDS(開):25 Ohms 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:2,000 2N4859 功能描述:JFET N-Channel 30V 175mA @ 15V 360mW Through Hole TO-18 制造商:microsemi ire division 系列:軍用, MIL-PRF-19500/385 包裝:散裝 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):30V 漏源極電壓(Vdss):30V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):175mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):10V @ 500pA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):18pF @ 10V 電阻 - RDS(開):25 歐姆 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:1 2N4861JTXL02 2N4861JTXV02 2N4864 2N4865 2N4870 2N4871 2N4895 2N4898 2N4899 2N4900 2N4901 2N4903 2N4905 2N4906 2N4910 2N4911 2N4913 2N4914
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