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2N5114JTX02

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  • 制造商
  • Vishay Angstrohm
  • 功能描述
  • 19500/476 JANTX2N5114
  • 制造商
  • Vishay Siliconix
  • 功能描述
  • TRANS JFET P-CH 3PIN TO-206AA - Bulk
2N5114JTX02 技術參數
  • 2N5114JTVL02 功能描述:JFET P-CH 30V TO-206AA 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:- 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):- 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:- 標準包裝:20 2N5114JAN02 功能描述:JFET P-CH 30V TO-206AA 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態:生命周期結束 FET 類型:- 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):- 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:- 標準包裝:40 2N5114-E3 功能描述:JFET P-CH 30V TO-206AA 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:- 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):- 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:- 標準包裝:200 2N5114 功能描述:P CHANNEL JFET 制造商:microsemi corporation 系列:軍用,MIL-PRF-19500 包裝:散裝 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):30V 漏源電壓(Vdss):30V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):90mA @ 18V 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):10V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):25pF @ 15V 電阻 - RDS(開):75 Ohms 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-18(TO-206AA) 標準包裝:1 2N5109 功能描述:TRANS RF NPN 20V 400MA TO-39 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 頻率 - 躍遷:1.2GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:1W 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 50mA,15V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):400mA 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:500 2N5115JTXV02 2N5115UB 2N5116 2N5116-E3 2N5116JAN02 2N5116JTVL02 2N5116JTX02 2N5116JTXL02 2N5116JTXV02 2N5116UB 2N5151 2N5151L 2N5152 2N5152L 2N5154 2N5154L 2N5172 2N5172_D26Z
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