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2N5401S P/B

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2N5401S P/B 技術參數

2N5401RLRMG 功能描述:TRANS PNP 150V 0.6A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:600mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N5401RLRM 功能描述:TRANS PNP 150V 0.6A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:600mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N5401RLRAG 功能描述:TRANS PNP 150V 0.6A TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:600mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1 2N5401RLRA 功能描述:TRANS PNP 150V 0.6A TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:600mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:10 2N5401RL1G 功能描述:TRANS PNP 150V 0.6A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:600mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N5416 2N5416UA 2N5416UA/TR 2N5427 2N5428 2N5429 2N5430 2N5432-2 2N5433 2N5433-2 2N5433-E3 2N5434 2N5457 2N5457_D26Z 2N5457_D27Z 2N5457_D74Z 2N5457_D75Z 2N5457_L99Z