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2N5440

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  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

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    地址:廣東省深圳市福田區華強北上航大廈西座四層

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  • 制造商
  • 未知廠家
  • 制造商全稱
  • 未知廠家
  • 功能描述
  • TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 60A I(C) | TO-3
2N5440 技術參數
  • 2N5434 功能描述:DIE TRANS SMALL SIGNAL 制造商:fairchild/micross components 系列:* 零件狀態:有效 標準包裝:25 2N5433-E3 功能描述:JFET N-CH 25V 0.3W TO-52 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):25V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):100mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):3V @ 3nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):30pF @ 0V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AC,TO-52-3,金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AC(TO-52) 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:200 2N5433-2 功能描述:JFET N-CH 25V 0.3W TO-52 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):25V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):100mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):3V @ 3nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):30pF @ 0V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AC,TO-52-3,金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AC(TO-52) 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:20 2N5433 功能描述:JFET N-CH 25V 0.3W TO-52 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):25V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):100mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):3V @ 3nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):30pF @ 0V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AC,TO-52-3,金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AC(TO-52) 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:200 2N5432-2 功能描述:JFET N-CH 25V 0.3W TO-52 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):25V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):150mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):4V @ 3nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):30pF @ 0V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AC,TO-52-3,金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AC(TO-52) 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:20 2N5458_D27Z 2N5458G 2N5459 2N5459_D27Z 2N5459_D74Z 2N5459_D75Z 2N5460 2N5460_D27Z 2N5460_D74Z 2N5460_D75Z 2N5460_L99Z 2N5460G 2N5461 2N5461_D26Z 2N5461_D74Z 2N5461_L99Z 2N5461G 2N5461RLRA
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